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天虹科技
天虹ALD薄膜製程 半導體業神隊友
原子層沉積(Atomic Layer Deposition, ALD)是一種精密的薄膜 沉積技術,其主要優點包括:「極高的沉積精度,可達單原子層控制 」、「出色的膜厚均勻性,特別適合三維結構」以及「溫和的製程條 件,減少對材料的熱損傷」;由於這些特性確保了半導體元件的性能 和可靠性,因此ALD已成為製造高K介電質、金屬閘極和其他關鍵結構 的首選技術。
根據國際半導體產業協會(SEMI)2023年發布的報告指出,今年應 為半導體設備業的谷底,2024年預計將會是復甦之年。
根據預測,2024年度半導體設備可望以14.40%的年增率呈現成長 ,其中製程相關機台的14.82%的增長率將成為三大類別中最為顯著 的。
雖然全球半導體市場和相關設備支出在2023年面臨一些挑戰,但天 虹仍繳出1~10月營收新台幣1,427,028千元,年增5.46%的優異成績 單;隨著市場的逐步調整和產業的努力,2024年更有望迎來新的增長 與機會。
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